特許
J-GLOBAL ID：200903078542738035
非線形光学装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335202
公開番号（公開出願番号）：特開平5-173199
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 本発明は非線形光学装置に関し、高い繰り返し周波数の入力光パルスにも追随でき、またS/N比を向上させた非線型光学装置を提供することを目的とする。【構成】 TBQ構造において、量子準位E6を、量子準位E4よりもエネルギー的に低く形成し、また量子準位H2を、量子準位H4よりもバンド図上高エネルギー側に形成する。またバリア層A5およびA3の厚さを、電子とホールのトンネル確率を実質的に等しくなるように最適化する。さらに層A2およびA6における電子およびホールの量子準位間のエネルギー差を活性層A4中のそれよりも実質的に大きく設定する。さらに、層A2およびA6に、これらの層からキャリアをバイアスにより吸収あるいは再結合させることにより除去する手段を設ける。
請求項（抜粋）：
入射光ビームに応じて初期状態から活性状態へと光学的状態を遷移させる非線型光学装置において、互いに第一のエネルギーギャップにより隔てられて形成された、電子のための第一の量子準位(E4)とホールのための第二の量子準位(H4)とを有する第一の量子井戸層(A4)と、前記第一のエネルギーギャップよりも実質的に大きい第一のバンドギャップ(Eg1)を有し、前記第一の量子井戸層上に、電子のトンネリングを許容するような厚さで形成され、前記第一の量子井戸層の第一の主面上に形成されて該第一の量子井戸層中の電子を散逸させる第一のバリア手段(A5)と、前記第一のエネルギーギャップよりも実質的に大きい第二のバンドギャップ(Eg1)を有し、前記第一の量子井戸層上にホールのトンネリングを許容するような厚さで形成され、前記第一の量子井戸層の第二の対向する主面上に形成されて該第一の量子井戸層中のホールを散逸させる第二のバリア手段(A3)と、第二のエネルギーギャップにより相互に隔てられて形成された電子のための第三の量子準位(E6)とホールのための第四の量子準位(H6)とを有し、前記第一の量子井戸層の第一の主面上に、前記第一のバリア手段により隔てられて設けられた第二の量子井戸層(A6)と、第三のエネルギーギャップにより相互に隔てられて形成された電子のための第五の量子準位(E2)とホールのための第六の量子準位(L2)とを有し、前記第一の量子井戸層の第二の主面上に、前記第二のバリア手段により隔てられて設けられた第三の量子井戸層(A2)とを備え、前記第二の量子井戸層は、前記第三の量子準位を、電子のエネルギーでみて前記第一の量子準位よりも低いエネルギーレベルに有すると共に、前記第四の量子準位を、ホールのエネルギーでみて前記第二の量子順位よりも高いエネルギーレベルに有し、前記第三の量子井戸層は、前記第五の量子準位を、電子のエネルギーでみて前記第一の量子準位よりも高いエネルギーレベルに有すると共に、前記第六の量子準位を、ホールのエネルギーでみて前記第二の量子準位よりも低いエネルギーレベルに有する事を特徴とする非線型光学装置。
IPC (2件)：
G02F 1/35
, G02F 1/015 505
