特許

J-GLOBAL ID：200903078544704529

シリコン系基板のエッチング方法及びエッチング装置

発明者： 岡本 裕
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033446
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245291
出願日： 1994年03月03日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 シリコン系基板のエッチング量を正確に制御でき、製品の性能にばらつきやその他悪影響が出ることを防止できるシリコン系基板のエッチング方法及びエッチング装置を提供する。【構成】 シリコン系基板1をエッチングするエッチング(6)の際、被エッチングシリコン系基板1の材料とは異種のシリコン系材料(例えばSiに対しポリSiやアモルファスSi)によりモニタ膜2を形成し、被エッチング基板と該モニタ膜とを同時にエッチングして、モニタ膜のエッチングの度合いを発光スペクトル等でモニタすることで、基板のエッチング量を制御する。

請求項（抜粋）：

シリコン系基板をエッチングするエッチング方法において、被エッチングシリコン系基板の材料とは異種のシリコン系材料によりモニタ膜を形成し、被エッチングシリコン系基板と該モニタ膜とを同時にエッチングして、モニタ膜のエッチングの度合いをモニタすることによって、被エッチングシリコン系基板のエッチング量を制御することを特徴とするシリコン系基板のエッチング方法。