特許
J-GLOBAL ID：200903078553539239

リ-ドフレ-ムとその製造方法、およびそれを用いた半導体パッケ-ジ

発明者：
久世 孝

久世 孝 について

, 
中島 信昭

中島 信昭 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324543
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156452
出願日： 1991年05月30日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 リードフレームの封止樹脂との密着性を向上させる。そのようなリードフレームを用いることによって、半導体パッケージの信頼性を高める。【解決手段】 分散粒子2を含有するCu基合金1aからなり、分散粒子2の一部が表面に現出して分布しているリードフレーム母体1と、このリードフレーム母体1の表面に形成され、実質的に酸化銅(II)からなる略均一な層3とを具備するリードフレームであって、層3中には分散粒子2の酸化物が分布している。あるいは、Pの含有量が30ppm 以下のCu基合金からなるリードフレーム母体と、このリードフレーム母体の表面に形成され、実質的に酸化銅(II)からなる略均一な層とを具備するリードフレームである。半導体パッケージは、このようなリードフレームを具備する。
請求項（抜粋）：
分散粒子を含有するCu基合金からなり、前記分散粒子の一部が表面に現出して分布しているリードフレーム母体と、前記リードフレーム母体の表面に形成され、実質的に酸化銅(II)からなる略均一な層と、前記層中に分布している前記分散粒子の酸化物とを具備することを特徴とするリードフレーム。
IPC (2件)：
H01L 23/50 ,  C22C 9/00
FI (2件)：
H01L 23/50 V ,  C22C 9/00
引用特許：
審査官引用 (22件)
  • 特開平2-118037
  • 特開平2-122035
  • 特開平2-122039
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