不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青木朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-346663
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182478
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】本発明は、一括消去型の不揮発性半導体記憶装置のS/A回路の構成に関し、通常の電源電圧を使用してもライト/イレーズベリファイ時に適合化された感度をS/A回路に持たせ、ひいては十分なベリファイチェックを可能にすることを目的とする。【構成】複数の書換え可能な不揮発性メモリセルMijを有するセルマトリクス1と、可変の電源電圧VVER を供給され、選択されたビット線のデータをセンス増幅するS/A回路71 〜7n と、ライトベリファイまたはイレーズベリファイを指令する制御信号Cに応答して前記可変の電源電圧を生成する電源回路8とを具備し、ベリファイ時に前記可変の電源電圧として通常の電源電圧と異なる特定のベリファイ用電圧を生成すると共に、該ベリファイ用電圧を選択されたワード線に印加するように構成する。

請求項（抜粋）：

複数のワード線(WL1〜WLm)と複数のビット線(BL11 〜BL1k,......BLn1〜BLnk) の交差部に書換え可能な不揮発性メモリセル(Mij) が配設されて成るセルマトリクス(1)と、可変の電源電圧(VVER )を供給され、前記セルマトリクスで選択されたビット線のデータをセンス増幅するセンスアンプ回路(71 〜7n)と、ライトベリファイまたはイレーズベリファイを指令する制御信号(C)に応答して前記可変の電源電圧を生成するベリファイ用電源回路(8)とを具備し、ベリファイ時に前記可変の電源電圧として通常の電源電圧と異なる特定のベリファイ用電圧を生成すると共に、該ベリファイ用電圧を選択されたワード線に印加することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 B , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-173494
特開昭63-291297
特開昭62-222498

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