特許

J-GLOBAL ID：200903078558261590

プローブ装置、それを用いた加熱方法及び位置決め方法

発明者： 石田 方哉 ,  根橋 聡 ,  井出 次男 ,  戞山 高信
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-054014
公開番号（公開出願番号）：特開平11-250513
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 高分解能な加工、記録を安定して行なう装置を提供する。【解決手段】 少なくとも2つ以上の先鋭化した電極と、試料の表面の任意の位置に電極を移動する機構と、電極の間に電流を流す機構と、を有するプローブ装置を提供する。ここで、試料が導電性を有することが望ましい。さらに、2つの電極の間に流れる電流を検出する機構を有することが望ましい。また、1つの先鋭化した基体上に、2つの電極を設けることが望ましい。2つの電極の間隔が10nm以下であることをが望ましい。2つの電極の間隔が10nm以下の範囲で調整可能であることが望ましい。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つ以上の先鋭化した電極と、試料の表面の任意の位置に前記電極を移動する機構と、前記電極の間に電流を流す機構と、を有することを特徴とするプローブ装置。

IPC (3件)：

G11B 9/00 ,  G01B 21/30 ,  G01N 37/00

FI (3件)：

G11B 9/00 ,  G01B 21/30 Z ,  G01N 37/00 C