特許

J-GLOBAL ID：200903078562935902

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 江崎 豪彌
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-331242
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148432
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 ホットキャリアのゲート絶縁膜3への注入効率を高め、不揮発性メモリの情報書込み速度を高速化するとともに、ゲート絶縁膜の信頼性を高める。【解決手段】 半導体基板表面にゲート絶縁膜3、浮遊ゲート5F、ゲート間絶縁膜4、及び制御ゲート5Cが順次形成され、浮遊ゲート、及び制御ゲートの側壁部に側壁絶縁膜6を介して側壁ゲート7が形成され、ソース8・ドレイン9が浮遊ゲート直下には入り込まないように側壁ゲート直下に形成され、側壁ゲート、及び浮遊ゲートに印加される電圧を、側壁ゲート直下に形成されるチャネルのキャリア濃度が、浮遊ゲート直下に形成されるチャネルのキャリア濃度より低くなるような大きさの電圧にそれぞれ印加された状態で、浮遊ゲートへのキャリア注入がなされることにより情報書込みが行われる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に形成されたゲート絶縁膜を介して浮遊ゲート、ゲート間絶縁膜、及び制御ゲートが順次形成され、前記浮遊ゲート、及び制御ゲートの側壁部に側壁絶縁膜を介して側壁ゲートが形成された不揮発性半導体装置において、ソース・ドレインが前記浮遊ゲート直下には入り込まないように前記側壁ゲート直下に形成され、前記側壁ゲート、及び浮遊ゲートに印加される電圧を、前記側壁ゲート直下に形成されるチャネルのキャリア濃度が、前記浮遊ゲート直下に形成されるチャネルのキャリア濃度より低くなるような大きさの電圧にそれぞれ印加された状態で、前記浮遊ゲートへのキャリア注入がなされることにより情報書込みが行われることを特徴とする不揮発性半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (28件)：

5F001AB08 ,  5F001AB20 ,  5F001AC06 ,  5F001AD15 ,  5F001AD17 ,  5F001AD18 ,  5F001AD41 ,  5F001AE02 ,  5F001AF10 ,  5F083EP13 ,  5F083EP23 ,  5F083EP30 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083ER02 ,  5F083ER05 ,  5F083ER09 ,  5F083GA01 ,  5F083GA30 ,  5F101BB03 ,  5F101BB05 ,  5F101BC11 ,  5F101BD05 ,  5F101BD07 ,  5F101BD09 ,  5F101BD22 ,  5F101BE05 ,  5F101BF10