特許
J-GLOBAL ID：200903078563278352
半導体素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031678
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087707
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】ドレイン領域のみに低濃度不純物領域からなる非対称構造のLDD領域を形成することにより、駆動力および信頼性を向上させることのできる半導体素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体素子は、半導体基板10と、半導体基板10上に形成されたゲート電極14aと、ゲート電極14aと半導体基板10との間に形成され、ゲート電極14a一側エッジ部14bを含む第1領域Aに形成された第1ゲート絶縁膜13と、ゲート電極14aと半導体基板10との間に形成され、ゲート電極14a他側エッジ部を14c含む第2領域Bに第1ゲート絶縁膜13より厚く形成された第2ゲート絶縁膜18と、ゲート電極14aの両側下部の半導体基板10内に形成された第1不純物領域15a,15bと、第2ゲート絶縁膜18下部の半導体基板10内に形成された第2不純物領域16とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極と前記半導体基板との間に形成され、前記ゲート電極の一側エッジ部を含む第1領域に形成された第1ゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と前記半導体基板との間に形成され、前記ゲート電極の他側エッジ部を含む第2領域に前記第1ゲート絶縁膜より厚く形成された第2ゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の両側下部の前記半導体基板内に形成された第1不純物領域と、前記第2ゲート絶縁膜下部の前記半導体基板内に形成された第2不純物領域とを備えることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 301 L
