特許

J-GLOBAL ID：200903078563496791

ショットキバリアダイオード及びその製造方法

発明者： 石原 賢次
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-121768
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315806
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル層の欠陥を防止し、かつ高耐圧化を図ったショットキバリアダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 N+型の半導体基板1上に、N-型のエピタキシャル層2と、その上の金属層5とを備え、エピタキシャル層2内には、エピタキシャル層2より不純物濃度が高いN+型の埋込み層6が形成されており、埋込み層6の不純物濃度の最高濃度が7〜9×1019cm-3の範囲である。このことにより、順方向電圧を下げるという埋込み層の役割を果たしながら、エピタキシャル層を成長させる際に、エピタキシャル層の欠陥の発生を防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、エピタキシャル層と金属層とが形成され、前記エピタキシャル層内に、前記エピタキシャル層より不純物濃度が高く、かつ前記エピタキシャル層と同じ導電型の埋込み層が形成されているショットキバリアダイオードであって、前記埋込み層の不純物濃度の最高濃度が7〜9×1019cm-3の範囲であることを特徴とするショットキバリアダイオード。

FI (2件)：

H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 P

Fターム (9件)：

4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC03 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20