特許
J-GLOBAL ID：200903078563714217

ヘテロ接合III-V族トランジスタ、特にHEMT電界効果トランジスタまたはヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ

発明者：
ヌイエン,リン,ティー.

ヌイエン,リン,ティー. について


出願人/特許権者：
ピコジガ

ピコジガ について


代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外10名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-508505
公開番号（公開出願番号）：特表2003-504851
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2003年02月04日
要約：
【要約】本発明は、広い禁制帯の物質および狭い禁制帯の物質を有するIII-V族半導体物質を備えたヘテロ接合トランジスタに関する。狭い禁制帯の物質は、III族元素の1つとしてガリウムを、V族元素としてヒ素および窒素の双方を含むIII-V族化合物であり、窒素の含有量は約5%未満であり、狭い禁制帯の物質は少なくとも1つの第4のIIIまたはV族の元素を備える。前記第4の元素を追加することによって、へテロ接合の禁制帯の幅、伝導帯の不連続性ΔEc、および価電子帯の不連続性ΔEvを調整することが可能となる。本発明は、低い禁制帯を有し、従って高ドレイン電流を有するHEMT電界効果トランジスタを生成するのに有用である。また、本発明は、低いVBEを有し、従って低供給電圧によって機能することができるヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを生成するのに有用である。
請求項（抜粋）：
広い禁制帯を有する物質および狭い禁制帯を有する物質を有するIII-V族半導体物質を備えたヘテロ接合トランジスタにおいて: 前記狭い禁制帯を有する物質は、そのIII族元素の1つとしてガリウムを、V族元素としてヒ素および窒素の双方を含むIII-V族化合物であり、前記窒素の含有量は約5%未満であり; 前記狭い禁制帯の物質は少なくとも1つの第4のIIIまたはV族元素を有し; この第4の元素を追加することによって、前記へテロ接合の前記禁制帯の幅、伝導帯の不連続性ΔEc、および価電子帯の不連続性ΔEvを調整することが可能となることを特徴とするヘテロ接合トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/201 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (3件)：
H01L 29/201 ,  H01L 29/72 H ,  H01L 29/80 H
Fターム (10件)：
5F003BB04 ,  5F003BE04 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BM03 ,  5F102FA02 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (15件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • 化合物半導体デバイス[1], 19840715, 初版, 第217-218頁

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