特許
J-GLOBAL ID:200903078564791754

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-002933
公開番号(公開出願番号):特開平7-211843
出願日: 1994年01月17日
公開日(公表日): 1995年08月11日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、樹脂封止されてなる半導体装置に関し、樹脂封止工程の際のリードフレームに対する金型のずれ等を樹脂封止後にその外観より簡単且つ正確に検出できることを目的とする。【構成】 ダイステージ6上に半導体素子が搭載され、該半導体素子の複数の電極と前記ダイステージの周囲にあるリード端子3とが電気的に接続されると共に、該リード端子3が外部に導出されるように前記半導体素子がモールド樹脂2にて封止されている半導体装置において、前記リード端子3のモールド樹脂2との境界部分に樹脂ずれ確認用のマーク4が設けられている構成とする。
請求項(抜粋):
ダイステージ(6)上に半導体素子が搭載され、該半導体素子の複数の電極と前記ダイステージの周囲にあるリード端子(3)とが電気的に接続されると共に、該リード端子(3)が外部に導出されるように前記半導体素子がモールド樹脂(2)にて封止されている半導体装置において、前記リード端子(3)のモールド樹脂(2)との境界部分に樹脂ずれ確認用のマーク(4)が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28

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