特許

J-GLOBAL ID：200903078568852367

半導体装置およびその製造方法

発明者： 高岡 裕二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-139481
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320015
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 3次元構造の半導体装置を容易にしかも精度良く製造すること。【解決手段】 本発明の半導体装置1は、基板10に形成される配線パターン11と、配線パターン11を覆う状態で形成される絶縁膜20と、絶縁膜20上に載置される第1の素子チップ2と、絶縁膜20を貫通し、配線パターン11と第1の素子チップ2とを電気的に導通させる導体ピラー4とを備えるものである。

請求項（抜粋）：

基板に形成される配線パターンと、前記配線パターンを覆う状態で形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に載置される素子チップと、前記絶縁膜を貫通し、前記配線パターンと前記素子チップとを電気的に導通させる導体ピラーとを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/52

FI (6件)：

H01L 23/12 501 P ,  H01L 23/12 501 S ,  H01L 23/12 501 T ,  H01L 25/08 Z ,  H01L 21/88 T ,  H01L 23/52 C

Fターム (14件)：

5F033GG01 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK08 ,  5F033NN19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033VV00 ,  5F033XX00