特許

J-GLOBAL ID：200903078570065275

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松本 信一 ,  加藤 和利
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-285471
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102615
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 複数の電極を有する半導体装置において、素子間の分離抵抗を十分に確保する。【構成】 メサストライプ13,16に沿って2つのp型電極11,18を有し、このp型電極11,18をその上に有するメサストライプ13,16内の半導体層の少なくとも一部が素子間分離膜としての絶縁性薄膜であるSiO2膜10によって分離されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に活性層および導波層の少なくとも一方を含み、ストライプ状に形成されたメサストライプを有する半導体装置において、前記メサストライプに沿って少なくとも2つの電極を有し、前記電極をその上に備えるメサストライプ内の半導体層の少なくとも一部が絶縁性薄膜によって分離され、前記活性層または導波層のいずれも前記絶縁性薄膜によって分離されていないことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/15 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-161980
  
• 特開平1-319986
  
• 特開昭63-120487