特許

J-GLOBAL ID：200903078575452927

低温焼成セラミック多層基板の製造方法

発明者： 光永 昇
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-008813
公開番号（公開出願番号）：特開平9-202665
出願日： 1996年01月23日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 低温焼成セラミック多層基板の反りを効果的に抑えながら焼成収縮による基板上面の傷つきを少なくすると共に、キャビティが形成された基板ではキャビティ底面の反りも抑えることができるようにする。【解決手段】 低温焼成セラミックグリーンシート積層体11(基板)のうち焼成過程で上方への反りが生じやすい部分に荷重体15を載置し、この状態で800〜1000°C(好ましくは900°C)で焼成して、低温焼成セラミック多層基板を作製する。この焼成の際、基板の反りが荷重体15によって抑えられ、反りの少ない品質の良い低温焼成セラミック多層基板が作製される。また、荷重体15を、K2 O(Na2 O)-Al2 O3 -SiO2 系のセラミック材料で形成することにより、荷重体15のガラス質と低温焼成セラミックのガラス質との相溶性がなくなり、荷重体15が基板にくっついてしまうことを防止できる。

請求項（抜粋）：

導体パターンが印刷された複数枚の低温焼成セラミックのグリーンシートを積層圧着し、1000°C以下の温度で焼成する低温焼成セラミック多層基板の製造方法において、前記グリーンシートの積層体の一部に、焼成過程で生じる反りを抑えるための荷重体を載置して焼成することを特徴とする低温焼成セラミック多層基板の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 35/64 ,  C04B 35/495 ,  H05K 1/03 610

FI (3件)：

C04B 35/64 J ,  H05K 1/03 610 B ,  C04B 35/00 J