特許

J-GLOBAL ID：200903078586634857

炭素クラスター超電導体の製造方法

発明者： 久貝 裕一 ,  上羽 良信 ,  大倉 健吾 ,  奥田 伸之
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 亀井 弘勝 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335037
公開番号（公開出願番号）：特開平5-179059
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月20日
要約：

【要約】【目的】 より安定で実用性が高く、しかも、所望の形状に成形された炭素クラスター超電導体を、簡単に製造する製造方法を提供する。【構成】 炭素クラスターC60とアルカリ金属元素とを溶媒中で反応させる。つぎに、この反応液に硬化性樹脂を添加して型内に流し込み、硬化性樹脂を硬化させる。また、上記炭素クラスターC60とアルカリ金属元素との反応を、硬化性樹脂またはその硬化剤を含む液中で行った後、上記硬化性樹脂および硬化剤のうち残りの成分を加えた反応液を型内に流し込んで、硬化性樹脂を硬化させてもよい。

請求項（抜粋）：

π電子共役系を有する炭素クラスター分子とアルカリ金属元素とを溶媒中で反応させたのち、反応液に未硬化の硬化性樹脂を添加して硬化反応させることにより、上記炭素クラスター分子とアルカリ金属元素との反応物を、硬化性樹脂の硬化物中に封入することを特徴とする炭素クラスター超電導体の製造方法。

IPC (7件)：

C08K 9/02 KCN ,  C01B 31/02 ZAA ,  C01B 31/02 101 ,  C08L101/00 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01L 39/12 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA