特許
J-GLOBAL ID：200903078591721695
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-204027
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053549
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 多色発光可能で、かつ、高輝度、高精細のフラットパネルディスプレイを作製し得る半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【構成】 基板1上にpn接合された発光部を有するInxGa1-xN(0≦x≦1)からなる半導体層3,4が複数積層形成された半導体発光素子において、各半導体層の間にAlN層またはGaN層を有するバッファ層2が介装されているので、その上方または下方の半導体層には格子歪みが生じにくい。また、各半導体層の発光部が露出されている。つまり、各発光部は重ならず独立して存在する。よって、各半導体層の発光を分離制御できる。
請求項（抜粋）：
基板上にpn接合された発光部を有するInxGa1-xN(0≦x≦1)からなる半導体層が複数積層形成され、各半導体層の間にバッファ層が介装され、さらに各半導体層の発光部の上方が、上に形成された半導体層の一部の欠落により露出されている半導体発光素子。
引用特許：
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