特許

J-GLOBAL ID：200903078599809850

p型立方晶炭化ケイ素を用いたMOS構造素子の製造方法

発明者： 篠原 幹弥 ,  山中 貢
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234095
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055569
出願日： 1991年08月21日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 酸化膜-薄膜の界面の状態に影響を与えることなく、低濃度の炭化ケイ素薄膜上にTi薄膜からなるオーミック電極を形成することの可能なp型立方晶炭化ケイ素を用いたMOS構造素子の製造方法を提供する。【構成】 p型立方晶炭化ケイ素薄膜11の表面に酸化膜12およびTi薄膜からなるオーミック電極14を形成し、酸化膜12の表面にゲート電極13を形成してMOS構造素子を製造する際に、炭化ケイ素薄膜11表面に形成されたTi薄膜14に対して約300°C以上約700°C以下の温度でアニール処理を行った。

請求項（抜粋）：

p型立方晶炭化ケイ素薄膜の表面に酸化膜およびTi薄膜からなるオーミック電極を形成し、前記酸化膜の表面にゲート電極を形成してMOS構造素子を製造する方法において、前記炭化ケイ素薄膜表面にTi薄膜を形成した後に、このTi薄膜に対して約300°C以上約700°C以下の温度でアニール処理を行う工程を備えたことを特徴とするp型立方晶炭化ケイ素を用いたMOS構造素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/40

FI (2件)：

H01L 29/78 311 B ,  H01L 29/78 301 B