特許

J-GLOBAL ID：200903078601750036

半導体装置およびその製造方法

発明者： 藤田 昭彦 ,  松島 博
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-288891
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129476
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子の電磁波による誤動作を防止することができる半導体装置を提供する。【構成】 半導体素子3を封止する樹脂9に電磁波ノイズを吸収するシリコンカーバイドやウィスカ等の電磁波吸収剤7を混入し、半導体装置1の外部および内部からの電磁波ノイズを吸収させて半導体素子3の誤動作を防止するとともに、人体への影響を無くすようにする。

請求項（抜粋）：

半導体素子の封止材料またはコーティング材料に電磁波ノイズを吸収する電磁波吸収剤を混入させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 23/30 B ,  H01L 23/30 R