特許

J-GLOBAL ID：200903078606017353

半導体微細構造の製作方法

発明者： 平谷 雄二 ,  菊田 俊夫
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-350452
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202164
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 10nm以下のサイズで精度よく制御された均一性のよい半導体微細構造の製作方法を提供する。【構成】 半導体基板1面上にマスク3を形成する工程(b)と、該マスクを用いて選択成長あるいはエッチングを行う工程(c),(d)と、該選択成長あるいはエッチング後に前記マスクを除去する工程と、前記マスクを除去した後埋め込み成長を行う工程(e)を有する半導体微細構造の製作方法において、マスクを多孔質陽極酸化膜で構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板面上にマスクを形成する工程と、該マスクを用いて選択成長を行う工程と、該選択成長後に前記マスクを除去する工程と、前記マスクを除去した後埋め込み成長を行う工程を有する半導体微細構造の製作方法において、マスクは多孔質陽極酸化膜からなることを特徴とする半導体微細構造の製作方法。

IPC (5件)：

H01L 29/06 ,  C30B 25/04 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01S 3/18