特許

J-GLOBAL ID：200903078606319759

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 山口 崇
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085182
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296643
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】プローブ針接触用のAl膜パッドにプローブ針を多数回接触させた場合でも、ボンディングワイヤ接続用のAl膜パッドに発生するダメージを回避し、ボンディング不良を減らし、製造の歩留りを向上させる。【解決手段】Si基板101 上にCu配線106 を形成し、その上にキャップ膜107 、SiO2 膜108 を順に堆積し、パッド領域を開口する工程と、第1のバリアメタル109、第1のAl膜110 、第2のバリアメタル111 、W 等の硬い金属膜112 、第3のバリアメタル113 および第2のAl膜114 を順に堆積する工程と、上記金属膜114,113,112,111,110,109のうちでパッド領域以外の部分を除去する工程と、パッシベーション膜115 を堆積し、パッド開口を行う工程と、パッド開口の底面部の金属膜114,113,112,111 を除去して第1のAl膜110 の上面を露出させる工程とを具備する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に配線層を形成し、その上にキャップ膜および層間絶縁膜を順に堆積した後、パッド領域を開口する工程と、 前記パッド領域開口後の半導体基板上の全面に第1のバリアメタル膜、第1のパッド金属膜を順に堆積する工程と、 前記第1のパッド金属膜上に、第1のパッド金属膜より硬い金属膜をバリアメタル膜でサンドイッチ状に挟んだ構造の中間金属層を介して第2のパッド金属膜を順に堆積する工程と、 前記第2のパッド金属膜、中間金属層、第1のパッド金属膜および第1のバリアメタル膜のうちで前記パッド領域以外の部分を除去する工程と、 この後、半導体基板上の全面にパッシベーション膜を堆積し、前記パッド領域のパッシベーション膜を除去してパッド開口を行う工程と、 前記パッド開口の底面部の前記第2のパッド金属膜および中間金属層を除去して前記第1のパッド金属膜の上面を露出させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/60 ,  H01L21/3205

FI (2件)：

H01L21/60 301P ,  H01L21/88 T

Fターム (40件)：

5F033HH08 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX13 ,  5F033XX28 ,  5F033XX34 ,  5F033XX37 ,  5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE11 ,  5F044EE12 ,  5F044EE21