特許
J-GLOBAL ID:200903078613096285

低熱膨張セラミックスおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-262398
公開番号(公開出願番号):特開平11-100275
出願日: 1997年09月26日
公開日(公表日): 1999年04月13日
要約:
【要約】【課題】低熱膨張を有するとともに高剛性を有する低熱膨張セラミックスとその製造方法を提供する。【解決手段】コージェライトを10〜50重量%、希土類元素酸化物を0.5〜10重量%の割合で含み、残部がα型含有率が80%以上の窒化珪素からなる成形体を、不活性ガス雰囲気中で1300〜1700°Cの温度で焼成することによって、窒化珪素の80%以上がα型窒化珪素からなり、相対密度95%以上、室温でのヤング率が200GPa以上、10〜40°Cの熱膨張率が1×10-6以下の低熱膨張、高ヤング率のセラミックスを得る。また、この低熱膨張セラミックスを露光装置用ステージなどの半導体製造用部品に応用することにより、高微細回路形成の精度を高め品質、量産性を高める。
請求項(抜粋):
コージェライトを10〜50重量%、希土類元素酸化物を0.5〜10重量%の割合で含み、残部がα型含有率が80%以上の窒化珪素からなり、且つ相対密度が95%以上であることを特徴とする低熱膨張セラミックス。
IPC (2件):
C04B 35/584 ,  C04B 35/195
FI (2件):
C04B 35/58 102 D ,  C04B 35/16 A
引用特許:
審査官引用 (13件)
  • 特開昭59-174572
  • 特表昭60-502053
  • 特開平2-116679
全件表示

前のページに戻る