特許

J-GLOBAL ID：200903078613184710

フォトレジスト組成物、フォトレジストパターンの形成方法、及び、半導体素子

発明者： 鄭 載昌 ,  李 根守 ,  廬 致亨 ,  孔 根圭 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-024182
公開番号（公開出願番号）：特開2000-241964
出願日： 2000年02月01日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 高濃度のアミンが存在する雰囲気下でも優れたフォトレジストパターンを得ることができるフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 下記式(1)で示されるフォトレジスト高分子と、有機溶媒とを含むフォトレジスト組成物であって、有機溶媒は、ずり流動化(shear thinning)を示す溶媒である。【化1】

請求項（抜粋）：

(i)フォトレジスト高分子と、(ii)有機溶媒とを含むフォトレジスト組成物において、前記有機溶媒は、ずり流動化を示す溶媒であることを特徴とするフォトレジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R