特許
J-GLOBAL ID：200903078614789152
薄膜コンデンサの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-289611
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126729
出願日： 1997年10月22日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】スパッタリング手法で基材上に薄膜コンデンサを形成する場合に、第1に下部電極膜の端部の側壁面を緩やかな斜面となる所定角度に形成した後、この上から誘電体膜を形成、あるいは第2に側壁面を所定の厚みに形成する薄膜コンデンサの形成方法を提供する。【解決手段】基材上面へ下部電極膜、誘電体膜、上部電極膜の手順で電極と誘電体を形成する薄膜コンデンサであって、下部電極膜の少なくとも1つの端辺を誘電体膜が覆い、前記端辺を含んで上部電極膜を形成する薄膜コンデンサの形成方法において、基材全面に金属薄膜を形成し、この上に下部電極膜とするマスクレジストを形成後、下部電極膜のエッチング処理段階において、イオンエッチング装置から発生出力するイオンビームのビーム軸と基材平面の直角軸と成す角度を所定角度θ付与したイオンビームでエッチング処理する薄膜コンデンサの形成方法。
請求項（抜粋）：
基材上面へ下部電極膜、誘電体膜、上部電極膜の手順で電極と誘電体を形成する薄膜コンデンサであって、該下部電極膜の少なくとも1つの端辺を該誘電体膜が覆い、該端辺を含んで該上部電極膜を形成する薄膜コンデンサの形成方法において、該基材全面に金属薄膜を形成し、この上に該下部電極膜とするマスクレジストを形成後、該下部電極膜のエッチング処理段階において、イオンミリング装置から発生出力するイオンビームのビーム軸と基材平面の直角軸と成す角度を所定角度θ付与した該イオンビームでエッチング処理することを特徴とする薄膜コンデンサの形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G 4/06 102
, C23F 4/00 C
