特許
J-GLOBAL ID：200903078616687608
積層複合電子部品
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北條 和由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-062482
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241997
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 積層複合電子部品の外形や寸法等を変えることなく、簡便な手段で積層複合電子部品の焼成時の絶縁抵抗の低下を防止する。【解決手段】 フェライト系セラミックからなる磁性体セラミック層1、1’と、誘電体セラミック層7、7’との間に、前記磁性体セラミック層1から多種のセラミック層に近くなる従って、比抵抗が次第に大きくなるような中間磁性体セラミック層a、b...を挿入する。より具体的には、フェライト系セラミックからなる磁性体セラミック層1、1’と、他種のセラミック層との間に、前記磁性体セラミック層1から多種のセラミック層に近くなる従って、Znの酸化物成分の含有率が次第に大きくなるような中間磁性体セラミック層a、b...、或はNiの酸化物成分の含有率が次第に小さくなるような中間磁性体セラミック層a、b...を挿入する。
請求項（抜粋）：
フェライト系磁性体からなる磁性体セラミック層(1)、(1’)と、この磁性体セラミック層(1)、(1’)に積層された他の種類のセラミック層とを有する積層複合電子部品において、前記磁性体セラミック層(1)、(1)...と他種のセラミック層との間に、前記前記磁性体セラミック層(1)、(1)...から他種のセラミック層側にいくに従って、比抵抗が次第に大きくなるような中間磁性体セラミック層(a)、(b)、...が介在されていることを特徴とする積層複合電子部品。
IPC (4件)：
H01G 4/40
, H01F 27/00
, H01F 17/00
, H03H 7/01
H01G 4/40 321 A
, H01F 17/00 D
, H03H 7/01 Z
, H01F 15/00 D
