特許

J-GLOBAL ID：200903078621550181

半導体基板用サセプタ

発明者： 浅井 隆一 ,  漆谷 多二男
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-216941
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064157
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】直方体状炭素基板の全表面にシリコンカーバイドの被覆膜を気相成長させた半導体基板用サセプタを、載置した半導体基板表面へのシリコンカーバイド膜成膜時等の高温成膜時にも炭素基板からの不純物ガスが外部へ漏れにくいものとする。【解決手段】直方体状炭素基板の各頂点を半径1.0mm以上の半球面状凸面2aが形成されるように面取りする。さらに、シリコンカーバイド被覆膜3の膜厚を150〜200μmとしてガス漏れ防止をより確実にする。

請求項（抜粋）：

直方体状炭素基板の全表面にシリコンカーバイドの被覆膜を気相成長させた半導体基板用サセプタにおいて、直方体状炭素基板の各頂点が半径1.0mm以上の曲率をもつ滑らかな凸面を形成するように面取りされていることを特徴とする半導体基板用サセプタ。