特許
J-GLOBAL ID：200903078622518753
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-262628
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124389
出願日： 1994年10月26日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 ワード線5に複数種類の電源電圧を切り替えて印加する必要をなくすことができるようにする。また、ビット線3の電圧を1種類の参照電圧Vrefと比較するだけでよくなるようにする。【構成】 セルトランジスタ2のしきい値電圧Vth等を3種類以上に変化させることによりI-V特性を変えて多値データを記憶させ、このセルトランジスタ2が導通してからビット線3の電圧が参照電圧Vrefよりも低くなるまで時間をカウンタ10で計時することにより、このI-V特性の相違を検出し多値データを読み出す。
請求項（抜粋）：
複数種類のI-V特性のいずれかに設定されるMIS・FETのソース又はドレインの一方の端子が読み出し動作の開始時にプリチャージされるビット線に接続されると共に、他方の端子が読み出し動作時にプリチャージ電圧とは異なる電圧の電源に接続されるメモリセルと、該ビット線の電圧を参照電圧と比較する比較回路とを備えた半導体記憶装置において、該ビット線のプリチャージ後に該メモリセルのMIS・FETのゲートに所定のゲート電圧を印加するワード線駆動手段と、読み出し動作の開始後の所定時から該比較回路の比較結果が変化するまで、又は、該比較回路の比較結果が変化してから読み出し動作の終了前の所定時までの時間を計時するタイマ手段と、該タイマ手段の計時結果に応じた多値データを出力する多値データ出力手段とを具備する不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 305
, G11C 17/00 308
