電極、SiCの電極及びSiCデバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-271947
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101064
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 SiCの電極において、高温アロイ処理、高キャリア濃度のイオン注入を必要とすることがなく、オーミック接触をとることができる電極構造を得る。【解決手段】 SiC1にNbドープチタン酸ストロンチウムなどの導電性酸化物2を介してTi,Alなどの金属電極3を設けてSiCの電極を構成する。

請求項（抜粋）：

所定の導電型を有する半導体と、該半導体上に形成された、該導電型と同じ導電型の導電性酸化物からなる電極と、からなる電極。

FI (2件)：

H01L 29/46 Z , H01L 29/46 F

Fターム (20件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB06 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD55 , 4M104FF13 , 4M104GG06 , 4M104GG07 , 4M104GG09 , 4M104GG11 , 4M104GG12 , 4M104GG20 , 4M104HH15 , 4M104HH20

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