特許
J-GLOBAL ID：200903078632958140
ITO膜の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-173276
公開番号（公開出願番号）：特開平9-025575
出願日： 1995年07月10日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【課題】 基板11に低抵抗率のITO膜を、基板11の温度を低く保持した状態で成膜する。【解決手段】 圧力勾配型プラズマガン5を使用する活性化反応蒸着法により基板にITO膜を成膜するに際し、基板11の温度を、膜の抵抗率が最小値となる温度を含み、所望の抵抗率が得られる温度領域の低温側温度から高温側温度までの温度領域内に保持する。
請求項（抜粋）：
圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化反応蒸着法により基板にITO膜を成膜するに際し、基板の温度を、膜の抵抗率が最小値となる温度を含み、所望の抵抗率が得られる温度領域の低温側温度から高温側温度までの温度領域内に保持することを特徴とするITO膜の成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/54 D
, C23C 14/08 D
