半導体デバイスおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-353106
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158146
出願日： 2005年12月07日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】本発明は、酸化物半導体を半導体活性層に用い、大気中動作を行っても、ヒステリシスの変化、閾値のシフト、およびオフ電流が大きくなることのない半導体デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基材上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極上に、ゲート絶縁層、ソース電極とドレイン電極を順次備え、前記ソース電極とドレイン電極間に半導体活性層を設けたトランジスタにおいて、前記半導体活性層の、前記ゲート絶縁層、ソース電極、およびドレイン電極と接触する接触面以外の面に保護層を設けることにより解決した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極上に、ゲート絶縁層、ソース電極とドレイン電極を順次備え、前記ソース電極とドレイン電極間に半導体活性層を設けたトランジスタにおいて、前記半導体活性層の、前記ゲート絶縁層、ソース電極、およびドレイン電極と接触する接触面以外の面に保護層を設けたことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 21/312

FI (5件)：

H01L29/78 619A , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L29/78 618B , H01L21/312 C

Fターム (54件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD36 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AH03 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110NN01 , 5F110NN22 , 5F110NN33

引用特許：

審査官引用 (11件)

トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-146907 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男
シリカ系被膜形成用溶液及びその製造方法、並びにシリカ系被膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-314226 出願人：松下電器産業株式会社
電子装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-290841 出願人：株式会社日立製作所

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