特許
J-GLOBAL ID：200903078637306574
半導体基板等のパッド構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078279
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183007
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、パッドへのリードの接続を容易にするために機械的強度の弱い有機絶縁膜上にパッドを形成したとしても、パッドの機械的強度を向上させることができる半導体基板等のパッド構造を提供することにある。【構成】 本発明は、窒化膜20上の配線金属層と、窒化膜20上に形成された多層有機絶縁膜(シリコン含有ポリイミド層)28上のリード接続用のパッド26を電気的に接続する半導体基板等のパッド構造において、多層有機絶縁膜の各層上にパッド座24a〜24d及び窒化膜20上の配線金属に位置的に対応するように設けられた各層配線金属を有し、パッド26、各層配線金属及び窒化膜20上の配線金属を各層有機絶縁膜28に形成されたスルーホール30a〜30cを介して電気的に接続している。
請求項（抜粋）：
無機絶縁膜上の配線金属層と、前記無機絶縁膜上に形成された多層有機絶縁膜上のリード接続用のパッドとを電気的に接続する半導体基板等のパッド構造において、前記多層有機絶縁膜の各層上に前記パッド及び前記配線金属に位置的に対応するように設けられた各層配線金属を有し、前記パッド,前記各層配線金属及び前記無機絶縁膜上の前記配線金属とは、前記各層有機絶縁膜に形成されたスルーホールを介して電気的に接続された構成を有することを特徴とする半導体基板等のパッド構造。
IPC (5件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/321
, H01L 23/12
, H05K 3/34
, H05K 3/46
H01L 21/92 C
, H01L 23/12 N
