特許

J-GLOBAL ID：200903078651467386

誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ

発明者： 神垣 耕世
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332042
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223640
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】低周波領域および高周波領域において比誘電率が大きく、静電容量の温度変化率が小さく、DCバイアス特性も良好である誘電体薄膜およびセラミックコンデンサを提供する。【解決手段】金属元素としてBa,Ti,Zr,Snを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる誘電体薄膜であって、これらの成分をBaTi1-x-y Zrx Sny O3 と表した時のxおよびyが、図1における線分A-B-C-D-E-F-Aで囲まれる範囲内にあり、かつ、ペロブスカイト結晶の平均結晶粒径dが、0.10〜0.25μmである。測定周波数100MHz(室温)での比誘電率が1100以上である。

請求項（抜粋）：

金属元素としてBa、Ti、ZrおよびSnを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる誘電体薄膜であって、これらの成分をBaTi1-x-y Zrx Sny O3と表した時のxおよびyが、図1における線分A-B-C-D-E-F-Aで囲まれる範囲内にあり、かつ、ペロブスカイト結晶の平均結晶粒径dが0.10〜0.25μmであることを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (5件)：

H01G 4/12 358 ,  C04B 35/48 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 320 ,  H01G 4/10

FI (5件)：

H01G 4/12 358 ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/12 320 ,  C04B 35/48 D ,  H01G 4/10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 誘電性磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-016823   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開昭61-256972