特許

J-GLOBAL ID：200903078653345253

半導体レーザの製造方法

発明者： 小林 裕
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 武石 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-258796
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102598
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 電流狭窄型半導体レーザにおいて活性層付近で電流が拡散しないようにすることにより、レーザ発振の閾値電流を小さくする。【構成】 n型基板17とn型クラッド層15の間にp型クラッド層16を設け、n型不純物としてSiを高エネルギイオン注入することにより、p型クラッド層16の中央部のみをn型に反転させる。このようにすれば、この層16を電流狭窄層として活性層14の近くに形成し、電流狭窄層の電流通過断面も小さくすることができる。

請求項（抜粋）：

電流が注入されて光を発生する活性領域と該活性領域の周囲に設けられたクラッド領域とを有する電流狭窄型半導体レーザの製造方法において、隣接する層とは伝導型が異なる層を電流ブロック層として前記クラッド領域中に形成する工程と、前記電流ブロック層の伝導型を反転させる不純物を前記電流ブロック層に達するようなエネルギで高エネルギイオン注入することにより、前記電流ブロック層の限定された領域の伝導型を反転させる工程と、を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。