特許
J-GLOBAL ID：200903078654181076
ジフェニルスルホン化合物の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大石 治仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-060854
公開番号（公開出願番号）：特開2002-255925
出願日： 2001年03月05日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：
【要約】【課題】着色のない高純度なジフェニルスルホン化合物を、簡便かつ工業的に有利に製造する方法を提供する。【解決手段】式(1)で表されるジフェニルスルホン化合物を含む混合物を精製する工程において、該混合物にキレート剤を添加することを特徴とするジフェニルスルホン化合物(1)の製造方法。【化1】〔R1及びR2はハロゲン原子、アルキル基等を表し、m及びnは0〜4の整数を表し、Qは水素原子、アルキル基、又は式(2)【化2】(X及びYは、エーテル結合を有してもよい炭化水素基等を表し、R3〜R6はハロゲン原子、アルキル基等を表し、p、q、r及びtは0〜4の整数を表し、aは0〜10の整数を表す。)で表される基を表す。〕
請求項（抜粋）：
式(1)【化1】{式中、R1及びR2は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、C1〜C8アルキル基又はC2〜C8アルケニル基を表し、m及びnは、それぞれ独立して0又は1〜4の整数を表す。Qは、水素原子、C1〜8アルキル基、C2〜8アルケニル基、C3〜8のシクロアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、又は式(2)【化2】〔式中、X及びYは、それぞれ独立して、置換基を有してもよいC1〜C12の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、エーテル結合を有するC1〜C12の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、式(3)【化3】(式中、R7は、メチレン基又はエチレン基を表す。)で表される基、又は式(4)【化4】(式中、R8は、水素原子又はC1〜C4アルキル基を表す。)で表される基を表す。R3〜R6は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、C1〜C8アルキル基又はC2〜C8アルケニル基を表し、p、q、r及びtは、それぞれ独立して、0又は1〜4の整数を表し、aは0又は1〜10の整数を表す。〕で表される基を表す。}で表されるジフェニルスルホン化合物を含む混合物を精製して、前記式(1)で表される化合物を単離する工程を有する前記式(1)で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法であって、前記混合物を精製する工程において、前記混合物にキレート剤を添加することを特徴とする前記式(1)で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法。
IPC (3件)：
C07C315/06
, C07C315/00
, C07C317/22
C07C315/06
, C07C315/00
, C07C317/22
4H006AA02
, 4H006AC62
, 4H006AD15
, 4H006AD33
, 4H006BE03
, 4H006TA02
, 4H006TB13
, 4H006TB42
, 4H006TC32
