特許

J-GLOBAL ID：200903078656864634

露光用マスク,露光用マスクの製造方法及びこれを用いた露光方法

発明者： 中村 裕子 ,  伊藤 信一 ,  金井 秀樹 ,  橋本 耕治 ,  堀岡 啓治 ,  渡辺 徹 ,  岡野 晴雄 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119432
公開番号（公開出願番号）：特開平5-313344
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 本発明は自己整合型位相シフトマスクの簡便な製造方法と、効果的な構造を提供することを目的とする。【構成】 自己整合型位相シフトマスクの製造工程において、液相成長法の選択性を利用して、所望の部分にSiO2 膜を形成し、位相シフタ部とする。また、位相シフタ部の側壁部を露光光が全反射する様に形成する。【効果】 自己整合型位相シフトマスクの製造工程において、アライメント機構を供えた露光装置やエッチング装置を用いる必要がなくなる。また、位相シフタの露光光が全反射する側壁部分は、実質的な暗部となり、位相シフタ効果との相乗作用により露光部と非露光部との光学的コントラストがさらに向上する。

請求項（抜粋）：

透明基板上に遮光膜パターンを形成する工程と、この遮光膜パターン上に感光性樹脂層を形成する工程と、前記遮光膜パターンをエッチングにより狭くし前記感光性樹脂層下の領域を第1の透過領域とする工程と、前記透明基板上に液相成長法により前記第1の透過領域に対して露光光の位相が変化する様にSiO2 膜を形成し第2の透過領域とする工程と、前記感光性樹脂層を除去する工程とを含むことを特徴とする露光用マスクの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521