特許

J-GLOBAL ID：200903078660916070

電子部品用基体

発明者： 宮川 文雄 ,  竹之内 敏一 ,  酒井 博之
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 松田 宗久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-346644
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219467
出願日： 1987年08月12日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタを、回路パターンを形成した絶縁層上面又は絶縁層間の横方向に沿って広い面積を占有させることなく、備えることのできる、電子部品用基体を得る。【解決手段】 回路パターン14直下の絶縁層部分に、強誘電体22を充填した大径のヴィアホール8aを設けて、該ヴィアホールに充填した強誘電体22の軸心部分に、導体23を充填した小径のヴィアホール8bを設ける。大径のヴィアホール8aの左右に近接する回路パターン14直下の絶縁層部分には、導体23を充填したヴィアホール8をそれぞれ設ける。大径のヴィアホール8aに充填された強誘電体22上面は、回路パターン14表面に露出させる。そして、それらの強誘電体22及び導体23を用いて形成したキャパシタ24を、回路パターン14直下の絶縁層部分に立体的に備える。

請求項（抜粋）：

絶縁層上面又は絶縁層間に回路パターンを形成してなるパッケージ、基板等の電子部品用基体において、前記回路パターン直下の絶縁層部分に上下に設けた大径のヴィアホールに強誘電体を充填すると共に、その強誘電体の軸心部分に上下に設けた小径のヴィアホールに導体を充填し、かつ、前記大径のヴィアホールの左右に近接する絶縁層部分であって、前記回路パターン直下の絶縁層部分に上下に設けた各ヴィアホールに導体をそれぞれ充填し、さらに、前記大径のヴィアホール直上に位置する回路パターン部分を除去して、前記大径のヴィアホールに充填された強誘電体上面を前記回路パターン表面に露出させ、前記強誘電体及び導体を用いて、前記回路パターン直下の絶縁層部分にキャパシタを立体的に備えたことを特徴とする電子部品用基体。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

H01L 23/12 B ,  H01L 23/12 301 L ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特公昭57-010577