特許

J-GLOBAL ID：200903078661722783

GaAsバラクタダイオードの製造方法

発明者： 杉木 忠
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-003518
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206486
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】N型エピタキシャル層の濃度プロファイルを制御して、直線性の良い容量-電圧特性を得る。また厚い高濃度P型エピタキシャル層を形成してワイヤボンディングの際の機械的ストレスによるP-N接合の破壊を防ぐ。【構成】低抵抗GaAs基板1上にMBE法によりバッファ層2、N型層3、高濃度N型層4を順次成長し、VPE法により高濃度P型層5を成長する。つぎにエッチングによりメサ7を形成し、CVD法および選択エッチングにより絶縁膜8を形成したのち、蒸着法およびイオンミリングにより電極10を形成する。

請求項（抜粋）：

高濃度N型GaAs基板の一主面上に、分子線エピタキシャル成長法により前記基板の電子濃度から徐々に減少して3〜5×1015cm-3の電子濃度に達したのち徐々に電子濃度が増加するエピタキシャル層を成長する工程と、全面に気相エピタキシャル成長法により高濃度P型層を成長する工程と、前記高濃度P型層に熱拡散法により浅い高濃度P型層を成長する工程と、レジストをマスクとしてエッチングして前記基板表面を露出するメサを形成する工程と、全面に絶縁膜を堆積してから開口を形成して前記浅い高濃度P型層表面に接続する電極を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/93 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-227574
  
• 特開昭54-107276
  
• 特開昭60-189270