特許
J-GLOBAL ID：200903078661804879
インプリント方法及びインプリント装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和泉 良彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-380106
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184718
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】常温において低いプレス圧力でパタンを転写することを可能にし、広い面積にわたって忠実度の高いパタンの転写を高い位置精度で行えるインプリント方法及び装置を提供すること。【解決手段】基板5上に、基板加工用高分子膜4として、化学増幅レジストSAL601(シプレイ株式会社製)の厚さ0.2μmの膜を形成し、凸部表面に酸を保持した鋳型パタン1を、プレス機構3の垂直移動により、高分子膜4に押し当て、鋳型パタン1の凸部の酸を高分子膜4に染み込ませた後に、高分子膜4を基板5とともに120°Cで2分間加熱し、その後、高分子膜4を2.38%濃度のアルカリ現像液を用いて90秒間現像して、パタン化した高分子膜4を得る方法及び装置を構成する。
請求項（抜粋）：
基板加工用膜が成膜された基板の該基板加工用膜に鋳型パタンをプレスすることによって該鋳型パタンを該基板加工用膜に転写するインプリント方法であって、該基板加工用膜の材料として化学増幅レジストを用い、該鋳型パタンの凸部表面に酸を保持せしめた後に該鋳型パタンを該基板加工用膜にプレスすることにより、該鋳型パタンの凸部表面に存在する酸を該化学増幅レジストに染み込ませた後に、該基板全体を加熱処理することにより、該化学増幅レジストに染み込んだ酸を触媒とした該化学増幅レジストの不溶化反応または可溶化反応を促進させた後に、 該化学増幅レジストを現像することにより該鋳型パタンの凸部に対応したレジストパタンを形成することを特徴とするインプリント方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30
, H01L 21/30 502 Z
5F046AA25
, 5F046AA28
, 5F046CC01
, 5F046CC02
, 5F046CC05
, 5F046CC13
, 5F046KA04
, 5F046LA18
