特許

J-GLOBAL ID：200903078670464789

固体撮像装置

発明者： 新山 貴子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-297361
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152554
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 残像を低減して良質な画質の映像信号を得ることのできる積層型の固体撮像装置を提供すること。【構成】 半導体基板10に蓄積ダイオード12,CCDチャネル13及び信号電荷読出し部を兼ねる転送ゲート電極15,16等を形成し、且つ最上層に蓄積ダイオード12に電気的に接続された画素電極20を形成してなる固体撮像素子チップと、この固体撮像素子チップ上に形成された光電変換膜21とを備えた固体撮像装置において、光電変換膜21として水素化アモルファスシリコンを使用し、このシリコンの空乏状態の空間電荷密度を2×1014cm-3以下に設定したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に信号電荷蓄積部,信号電荷読出し部,及び信号電荷転送部を形成し、且つ最上層に信号電荷蓄積部に電気的に接続された画素電極を形成してなる固体撮像素子チップと、この固体撮像素子チップ上に形成された光電変換膜と、この光電変換膜上に形成された透明電極とを備えた固体撮像装置において、前記光電変換膜として水素化アモルファスシリコンを使用し、該シリコンの空乏状態の空間電荷密度を2×1014cm-3以下に設定してなることを特徴とする固体撮像装置。