特許
J-GLOBAL ID：200903078672122168
中性粒子のビーム照射による再結晶化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326699
公開番号（公開出願番号）：特開平6-340500
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目的】 アモルファス薄膜にその厚さ方向に効率的に結晶化する。【構成】 基板1面上に既に形成されている所定の物質のアモルファス薄膜2に、該物質の2つ以上の相い異なる最稠密の結晶面に垂直な方向から比較的低エネルギーの中性原子ビームを照射する。この照射により少なくても膜の表面近傍は所望の結晶方位となり、更に、この結晶8は内部に向かって成長し膜の厚さ方向全部が結晶化する。
請求項（抜粋）：
基板上に所定の物質のアモルファス薄膜を形成してから、該物質膜を所望の結晶方位を持った単結晶膜に変換する為、該物質の結晶化の起こらない温度以下の高温で前記結晶方位における2つ以上の相い異なる最稠密結晶面に垂直な方向から比較的低いエネルギーの不活性ガス、或いは活性度の低いガスの中性原子、或いは中性分子のビームを照射することを特徴とする中性粒子のビーム照射による再結晶化方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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