特許

J-GLOBAL ID：200903078677496317

放射線検出方法

発明者： 岩瀬 義倫
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163834
公開番号（公開出願番号）：特開平6-075052
出願日： 1993年06月10日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】バイアス電圧を休止した場合においても、分解能や検出効率が低下することのない放射線検出方法を提供する。【構成】高抵抗CdTe半導体と、該半導体の一表面上に形成され正孔の注入を防ぐ障壁を有するアノード電極と、該半導体の他の表面上に形成され電子の注入を防ぐ障壁を有するカソード電極とからなる半導体検出器を用いて放射線を検出する方法において、(a)アノード電極・カソード電極間に直流のバイアス電圧を印加して放射線の検出を開始し、(b)バイアス電圧の電圧値をE(V)、アノード電極・カソード電極間の半導体の厚さをd(cm)とした際に、t=(E/d)2/106で定められる時間t(秒)以下の時間、放射線の検出を連続し、(c)その後、前記バイアス電圧の印加を停止するものである。

請求項（抜粋）：

高抵抗CdTe半導体と、該半導体の一表面上に形成され正孔の注入を防ぐ障壁を有するアノード電極と、該半導体の他の表面上に形成され電子の注入を防ぐ障壁を有するカソード電極とからなる半導体検出器を用いて放射線を検出する方法において、(a)アノード電極・カソード電極間に直流のバイアス電圧を印加して放射線の検出を開始し、(b)バイアス電圧の電圧値をE(V)、アノード電極・カソード電極間の半導体の厚さをd(cm)とした際に、t=(E/d)2/106で定められる時間t(秒)以下の時間、放射線の検出を連続し、(c)その後、前記バイアス電圧の印加を停止することを特徴とする放射線検出方法

IPC (2件)：

G01T 1/24 ,  H01L 31/09