特許
J-GLOBAL ID：200903078679809118
金属膜の形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005845
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216132
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 導電体として良質な金属膜を形成可能な方法。【構成】 まず、洗浄後のSiウェハ6を乾燥室2内に挿入する。次に、第1の配管8から導入した温純水によって、乾燥室2内のSiウェハ6を加温する。その後、乾燥室2内の温純水を排水し、Siウェハ6を加熱乾燥する。加熱乾燥に際しては、乾燥室2内を50Torr程度に減圧する。また、加熱乾燥を補助すべく、ヒータ16からの熱線によってSiウェハ6を加熱する。このような加熱により、Siウェハ6の温度を高めてその表面に吸着した水分を減圧下で有効に除去することができる。次に、前処理の終わったSiウェハ6上にスパッタまたはCVDを用いて金属膜を堆積する。得られた金属膜はバッチ間で反射率が一定し、高品質のスパッタAl膜が安定して得られていることを示す。
請求項（抜粋）：
水分が存在する基板表面を減圧下で乾燥する工程と、乾燥した該基板表面上にアルミニウムを含む金属膜を堆積する工程と、を備える金属膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28
