特許
J-GLOBAL ID:200903078685868118
薄膜磁気ヘッド
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷 照一 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-262065
公開番号(公開出願番号):特開2000-090417
出願日: 1998年09月16日
公開日(公表日): 2000年03月31日
要約:
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子の放熱性を向上して、同素子の出力特性を良好とすること。【解決手段】 基板10上に絶縁膜である下地膜11、軟磁性膜である下シールド層12、絶縁膜である再生下ギャップ13、磁気抵抗効果素子17a、絶縁膜である再生上ギャップ18、及び軟磁性膜である上シールド層19を積層してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、下地膜11、再生下ギャップ13、及び再生上ギャップ18を熱伝導性の良好な窒化アルミニウム膜により形成した。これにより、素子17aの発生する熱を効率よく放熱できるので、出力特性の優れた磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドを得ることが可能となった。
請求項(抜粋):
基板上に絶縁膜である下地膜、軟磁性膜である下シールド層、絶縁膜である再生下ギャップ、磁気抵抗効果素子、絶縁膜である再生上ギャップ、及び軟磁性膜である上シールド層を積層してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下地膜を窒化アルミニウムにより形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Fターム (5件):
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034BB01
, 5D034BB08
, 5D034CA02
引用特許:
審査官引用 (1件)
-
磁気ヘッド
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-011720
出願人:株式会社日立製作所
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