特許

J-GLOBAL ID：200903078688175792

半導体装置の製造方法

発明者： 関根 弘昭 ,  山本 憲郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337538
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202124
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 基準抵抗を有する半導体装置の製造方法に関し、高精度の基準抵抗を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 CrSi系基準抵抗膜(3)と補助配線層(4)を連続して形成して良好なコンタクトを形成した後、同一形状にパターニングする。その上に配線層を形成し、配線層と補助配線層を同一形状にパターニングすることにより、配線層に接続された基準抵抗を形成する。基準抵抗のコンタクト領域は大気に晒されることなく、良好なコンタクトが得られる。また、基準抵抗膜のコンタクト領域にBイオンを注入したり、コンタクト領域をH2 O2 +NH4 OH溶液で洗浄することにより、清浄な基準抵抗膜表面を得、その上に配線層を形成する。基準抵抗膜の清浄表面上に配線層を形成することにより、コンタクト抵抗が安定化する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)の絶縁膜(2)上にCr-Si系基準抵抗膜(3)を堆積する工程と、続いて、基準抵抗膜(3)上に補助配線金属膜(4)を堆積する工程と、前記基準抵抗膜(3)および補助配線金属膜(4)を一緒にパターニングする工程と、パターニングされた前記基準抵抗膜(3)、補助配線金属膜(4)を覆って配線金属膜(7)を堆積する工程と、前記配線金属膜(7)、補助配線金属膜(4)を一緒にパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822