特許
J-GLOBAL ID:200903078700190875
温度特性に優れた優れたMIセンサ
発明者:
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出願人/特許権者:
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公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-186695
公開番号(公開出願番号):特開2000-019235
出願日: 1998年07月01日
公開日(公表日): 2000年01月21日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】磁気-インピーダンスセンサにおいて,温度特性が優れたMI(磁気-インピーダンス)センサを提供する。【解決手段】MIセンサにおいて,定電流回路とピークホールド回路にOP(オペアンプ)7を用いてフィードバックをかけることにより,両回路の温度特性が向上する。温度特性は温度範囲が-40°Cから85°Cにおいて1%/F.S.以下である。さらに,ユニティーゲインバンド幅が100MHz以上の性能を有するOPを用いることにより,高感度なMIセンサが得られる。また,定電流回路においては,回路で使用される抵抗値の上限を500Ωとすることにより,高周波での信号の減衰が抑えれる。
請求項(抜粋):
MIセンサにおいて,定電流回路およびピークホールド回路にオペアンプ(以下OPと記載する)を用いてフィードバックをかけることを特徴として,温度範囲が-40°Cから85°Cにおいて,1%/F.S.以下の温度特性を有するMIセンサ.
IPC (2件):
FI (2件):
G01R 33/02 D
, H01L 43/00
Fターム (5件):
2G017AB05
, 2G017AD42
, 2G017AD53
, 2G017AD55
, 2G017AD69
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