特許
J-GLOBAL ID：200903078702529560
バンプの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034375
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245309
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子を回路基板上にフリップチップ実装するための、バンプの形成方法に関し、フラックス残渣がなく、またフラックスが酸化・劣化せず金属ペーストが完全溶融した、歩留まりのよいバンプを得る。【構成】 炭素の多孔質焼結体で形成した支持基板1の凹部に金属材料3を充填する。半導体素子5に形成した突起電極6をフェースダウンにより支持基板1の凹部2に整合し、窒素雰囲気リフロー処理によりバンプ7を形成する。加熱した窒素雰囲気でリフロー処理を行なうと、支持基板1と半導体素子5の界面で窒素置換が十分に行なわれる。
請求項（抜粋）：
多孔質材料よりなる支持基板の表面に形成した凹部に、フラックスを有する金属材料を充填し、半導体素子に形成した突起電極が前記凹部に対向するよう前記半導体素子を支持基板に載置し、加熱された窒素雰囲気中で前記金属材料を溶融し、半導体素子の突起電極にバンプを形成するバンプの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
