特許

J-GLOBAL ID：200903078703475749

薄膜堆積方法

発明者： 斎藤 正樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341717
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189487
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【目的】 表面汚染物を炭化による残存を伴うこと無く効果的に除去し、しかも不必要な部分で形成された酸化シリコン膜を容易に除去することができる薄膜堆積方法を提供すること。【構成】 被処理物表面に酸化性ガスを供給しながら表面汚染有機物を燃焼除去するところの、200〜400°Cの温度域で酸化性ガスの供給を開始するものである第一熱処理と、この熱処理により形成されると考えられる酸化膜層を還元性ガスを供給しながら化学的に除去する第二熱処理とを有し、これらの熱処理の後、薄膜堆積を行う。【効果】 表面汚染物を炭化による残存を伴うこと無く効果的に除去し、しかも半導体層とポリシリコン膜配線間の電気的接合抵抗の増加が防止でき、またDRAMキャパシタの容量低下が防止できる。

請求項（抜粋）：

被処理物表面に酸化性ガスを供給しながら表面汚染有機物を燃焼除去する第一熱処理と、還元性ガスを供給しながら熱処理を行う第二熱処理とを有し、これらの熱処理の後、減圧CVDにより薄膜堆積を行う、被処理物表面に薄膜を堆積させる薄膜堆積方法において、上記第一熱処理は200〜400°Cの温度域で酸化性ガスの供給を開始するものであることを特徴とする薄膜形成方法

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 B