特許
J-GLOBAL ID：200903078708910702
ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-124900
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330498
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】オン電圧が低く、かつ逆バイアス時のリーク電流が少ないショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】n+ サブストレート31上のnエピタキシャル層32内に、p+ 埋め込み領域33が埋め込まれている。nエピタキシャル層32の表面には、ショットキー接合を形成するアノード電極35が設けられ、そのアノード電極35はまた、nエピタキシャル層32の表面層に形成されたp+ コンタクト領域34の表面にも接触している。すなわち、p+ 埋め込み領域33は、p+ コンタクト領域34を介して、アノード電極35と同電位にされている。
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体層の表面にショットキー接合を形成する金属のアノード電極を配置し、第一導電型半導体層の裏面側にオーミックなカソード電極を設けたショットキーバリアダイオードにおいて、アノード電極の下方の前記第一導電型半導体層の内部に、表面に達しない第二導電型埋め込み領域を、逆バイアス時に空乏層が連続するような間隔で形成し、その第二導電型埋め込み領域をアノード電極と同電位とすることを特徴とするショットキーバリアダイオード。
FI (2件)：
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 P
