特許
J-GLOBAL ID:200903078710966928
半導体ウェハの表裏判別方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
絹谷 信雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-334815
公開番号(公開出願番号):特開2001-156152
出願日: 1999年11月25日
公開日(公表日): 2001年06月08日
要約:
【要約】【課題】 ベベリング以降のラッピング(平面研削)及び両面ポリッシングの工程で半導体ウェハの表裏を間違えて作業しないように、半導体ウェハの表面と裏面を判別できる半導体ウェハの表裏判別方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハの表裏判別方法において、両面ポリッシュ後の半導体ウェハの表裏面10のワープ形状10fを測定し、その測定結果と所定の表面形状或いは裏面形状の測定結果とを比較し、比較結果から表面或いは裏面を判別する。
請求項(抜粋):
半導体ウェハの表裏判別方法において、両面ポリッシュ後の半導体ウェハの表裏面のワープ形状を測定し、その測定結果と所定の表面形状或いは裏面形状の測定結果とを比較し、比較結果から表面或いは裏面を判別することを特徴とする半導体ウェハの表裏判別方法。
IPC (4件):
H01L 21/68
, H01L 21/02
, H01L 21/304 622
, H01L 21/66
FI (4件):
H01L 21/68 F
, H01L 21/02
, H01L 21/304 622 S
, H01L 21/66 J
Fターム (10件):
4M106AA01
, 4M106BA20
, 4M106CA24
, 4M106CB17
, 4M106DB30
, 5F031CA02
, 5F031JA35
, 5F031JA42
, 5F031JA45
, 5F031MA22
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