特許
J-GLOBAL ID：200903078718723030
赤外発光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092062
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013650
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 リモコン用赤外LED、フォトカプラ用発光素子の分野で要求の強いGaAs系赤外発光素子の高出力化を量産性よく実現する。【構成】 GaAs系赤外発光素子用ウェハ-11の劈開方向12に対し、少なくとも5°OFFの方向に電極パタ-ンを形成、ダイシング溝入れした後、機械的な力を加えることにより素子を完全分離し、素子の側面積を有効に拡大する。これによりP-N接合近傍で発した光の側面からの光取り出し効率が向上し、光出力が量産性を損なうことなく大幅に改善される。
請求項（抜粋）：
ガリウムヒ素を主たる結晶材料として用い、かつ発光に関与するP-N接合面と交わる素子側面の面積和が、前記P-N接合面と交わらない素子上面または下面の周囲長の大きい方をl、上面と下面の平均間隔をtとした時、l×tよりも大きいことを特徴とする赤外発光素子。
引用特許：
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