特許
J-GLOBAL ID：200903078721078439
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-068791
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270966
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 p型不純物をドープしたGaN系半導体結晶層のp型不純物の活性化を容易な方法で行う。【解決手段】 サファイア基板1上に、GaN低温層2、GaNバッファ層3を積層し、SiO2マスクパターンを形成し、その上にGaN膜6、n-GaNコンタクト層9、n-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層16、n-Ga1-y2Aly2N光導波層17、Inx2Ga1-x2N/Inx1Ga1-x1N多重量子井戸活性層18、p-Ga1-y3Aly3Nキャリアブロッキング層19、p-Ga1-y2Aly2N光導波層20、p-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層21、p-GaNコンタクト層22をこの順に成長する。この半導体積層試料31に対して、大気中、室温にて波長200nm〜350nmの紫外線30aを1時間照射し、その後700°Cで30分加熱処理することによりp型不純物を活性化させる。
請求項（抜粋）：
p型不純物をドープした窒化ガリウム系結晶層を備えた半導体素子の製造方法であって、前記窒化ガリウム系結晶層に非加熱状態で紫外線を照射し、その後、加熱処理を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。
Fターム (11件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA16
, 5F073DA25
, 5F073DA35
