特許
J-GLOBAL ID：200903078724396881
半導体装置、およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337827
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178128
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップが搭載されるダイパッドと、半導体チップから発生する熱を外部に放出する放熱板と、が強固に接合されている半導体装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 放熱板14およびダイパッド12の少なくとも一方の接合面は、最頂部位置と最深部位置との差で表される最大面粗度が0.5μm以上、および/または互いに隣接する頂部位置と深部位置との差の平均値で表される平均面粗度が0.4μm以上の面粗度を有しており、好ましくは、上記放熱板14と上記ダイパッド12とは超音波接合されている。
請求項（抜粋）：
半導体チップが搭載されるダイパッドと、このダイパッドと接合されるとともに、上記半導体チップから発生する熱を外部に放出するための放熱板と、を備える半導体装置であって、上記放熱板および上記ダイパッドの少なくとも一方の接合面は、最頂部位置と最深部位置との差で表される最大面粗度が0.5μm以上、および/または互いに隣接する頂部位置と深部位置との差の平均値で表される平均面粗度が0.4μm以上の面粗度を有することを特徴とする、半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/36 A
, B23K 20/10
